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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Comparez
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Note globale
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Note globale
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
40
75
Autour de 47% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.3
7.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.9
13.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
75
Vitesse de lecture, GB/s
13.6
14.9
Vitesse d'écriture, GB/s
8.3
7.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2035
1763
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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