RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Gesamtnote
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
40
75
Rund um 47% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
7.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
13.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
75
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.6
14.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
7.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2035
1763
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link