RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Сравнить
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB против Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Средняя оценка
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
40
75
Около 47% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.3
7.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.9
13.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
75
Скорость чтения, Гб/сек
13.6
14.9
Скорость записи, Гб/сек
8.3
7.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2035
1763
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Samsung M471B5273DH0-YH9 4GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link