RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Сравнить
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB против Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Средняя оценка
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
40
75
Около 47% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.3
7.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.9
13.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
75
Скорость чтения, Гб/сек
13.6
14.9
Скорость записи, Гб/сек
8.3
7.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2035
1763
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link