RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Confronto
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Punteggio complessivo
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
40
75
Intorno 47% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.3
7.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.9
13.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
40
75
Velocità di lettura, GB/s
13.6
14.9
Velocità di scrittura, GB/s
8.3
7.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2035
1763
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link