RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Comparar
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Pontuação geral
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
40
75
Por volta de 47% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.3
7.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.9
13.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
75
Velocidade de leitura, GB/s
13.6
14.9
Velocidade de escrita, GB/s
8.3
7.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2035
1763
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link