RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Comparez
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs AMD R7S44G2606U1S 4GB
Note globale
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Note globale
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
18.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
20
63
Autour de -215% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.3
1,447.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
20
Vitesse de lecture, GB/s
3,231.0
18.9
Vitesse d'écriture, GB/s
1,447.3
14.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
478
2707
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaison des RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
‹
›
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link