RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Comparar
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs AMD R7S44G2606U1S 4GB
Pontuação geral
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Pontuação geral
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
18.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
20
63
Por volta de -215% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.3
1,447.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
63
20
Velocidade de leitura, GB/s
3,231.0
18.9
Velocidade de escrita, GB/s
1,447.3
14.3
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
478
2707
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparações de RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link