RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Comparar
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs AMD R7S44G2606U1S 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Pontuação geral
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
20
29
Por volta de -45% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.9
16.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.3
12.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Por volta de 1.11 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
20
Velocidade de leitura, GB/s
16.9
18.9
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
14.3
Largura de banda de memória, mbps
19200
21300
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2601
2707
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link