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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Confronto
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs AMD R7S44G2606U1S 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Punteggio complessivo
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Differenze
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Motivi da considerare
AMD R7S44G2606U1S 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
20
29
Intorno -45% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.9
16.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.3
12.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
19200
Intorno 1.11 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
29
20
Velocità di lettura, GB/s
16.9
18.9
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
14.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
21300
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2601
2707
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
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