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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs AMD R7S44G2606U1S 4GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
总分
AMD R7S44G2606U1S 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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需要考虑的原因
AMD R7S44G2606U1S 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
20
29
左右 -45% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.9
16.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.3
12.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
20
读取速度,GB/s
16.9
18.9
写入速度,GB/s
12.0
14.3
内存带宽,mbps
19200
21300
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2601
2707
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
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G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
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