RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Comparez
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Note globale
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
63
Autour de -142% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.1
1,447.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
26
Vitesse de lecture, GB/s
3,231.0
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
1,447.3
11.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
478
2855
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaison des RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link