RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Comparez
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Note globale
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
63
Autour de -91% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.2
1,447.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
33
Vitesse de lecture, GB/s
3,231.0
16.9
Vitesse d'écriture, GB/s
1,447.3
13.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
478
3134
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaison des RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link