RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Comparez
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Note globale
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
20.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
63
Autour de -232% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.1
1,447.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
19
Vitesse de lecture, GB/s
3,231.0
20.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,447.3
17.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
478
3821
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaison des RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link