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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Compara
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Puntuación global
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
20.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
19
63
En -232% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.1
1,447.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
19
Velocidad de lectura, GB/s
3,231.0
20.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,447.3
17.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
478
3821
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905293-040.A00LF 1GB
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
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Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
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