RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Comparez
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Note globale
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
63
Autour de -163% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.1
1,447.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
24
Vitesse de lecture, GB/s
3,231.0
15.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,447.3
11.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
478
3045
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaison des RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link