RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Comparez
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Note globale
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
17.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
63
Autour de -142% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.5
1,447.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
26
Vitesse de lecture, GB/s
3,231.0
17.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,447.3
14.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
478
3547
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaison des RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Mushkin 991586 2GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link