RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Comparez
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Note globale
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
19.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
63
Autour de -133% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.3
1,447.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
27
Vitesse de lecture, GB/s
3,231.0
19.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,447.3
14.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
478
3040
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaison des RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link