RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Comparez
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Note globale
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Note globale
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
63
Autour de -125% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.5
1,447.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
28
Vitesse de lecture, GB/s
3,231.0
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,447.3
16.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
478
3634
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaison des RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
SK Hynix HMT351U6AFR8C-H9 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link