RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
10.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
77
Autour de -141% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
32
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
15.1
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
10.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
2667
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link