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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Comparez
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Note globale
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Note globale
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
63
Autour de -110% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.1
1,447.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
23400
5300
Autour de 4.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
30
Vitesse de lecture, GB/s
3,231.0
16.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,447.3
13.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
23400
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
478
3310
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaison des RAM
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Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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