RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Porównaj
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Wynik ogólny
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wynik ogólny
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
63
Wokół strony -110% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
1,447.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
23400
5300
Wokół strony 4.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,231.0
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,447.3
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
23400
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
478
3310
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link