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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Comparez
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Note globale
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Note globale
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
17
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
63
Autour de -163% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.9
1,447.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
24
Vitesse de lecture, GB/s
3,231.0
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,447.3
12.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
478
3151
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaison des RAM
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Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
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Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
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