RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Porównaj
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Wynik ogólny
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wynik ogólny
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
63
Wokół strony -163% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
1,447.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
24
Prędkość odczytu, GB/s
3,231.0
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,447.3
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
478
3151
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
INTENSO 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link