RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Porównaj
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Wynik ogólny
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wynik ogólny
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
63
Wokół strony -163% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
1,447.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
24
Prędkość odczytu, GB/s
3,231.0
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,447.3
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
478
3151
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD AE34G1601U1 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link