RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
16.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
46
Wokół strony -77% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
26
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
18.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
16.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
3866
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link