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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
総合得点
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
総合得点
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
4
18.9
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
2,061.2
16.6
テスト平均値
考慮すべき理由
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
26
46
周辺 -77% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
6400
周辺 3 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
46
26
読み出し速度、GB/s
4,937.3
18.9
書き込み速度、GB/秒
2,061.2
16.6
メモリ帯域幅、mbps
6400
19200
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
759
3866
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAMの比較
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
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Kingston 9905624-013.A00G 8GB
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Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
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OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
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