RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
58
Wokół strony -152% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
1,950.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
23
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,950.7
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
651
2825
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Transcend Information JM1333KLN-4G 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link