RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Comparez
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Note globale
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Note globale
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
49
63
Autour de -29% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
8.8
3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.4
1,447.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
49
Vitesse de lecture, GB/s
3,231.0
8.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,447.3
8.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
478
2331
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaison des RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link