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Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Comparez
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Note globale
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
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Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
42
Autour de -35% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.2
12
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.6
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
31
Vitesse de lecture, GB/s
12.0
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.2
11.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1933
2971
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
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Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
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