RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
42
Wokół strony -35% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
31
Prędkość odczytu, GB/s
12.0
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1933
2971
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Lenovo LMKUFG68AHFHD-32A 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link