RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Comparez
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Note globale
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Note globale
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
63
Autour de -66% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.8
1,447.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
38
Vitesse de lecture, GB/s
3,231.0
13.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,447.3
9.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
478
2073
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaison des RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
SK Hynix 8GB36-H9 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link