RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Confronto
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Punteggio complessivo
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
13.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
63
Intorno -66% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.8
1,447.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
63
38
Velocità di lettura, GB/s
3,231.0
13.8
Velocità di scrittura, GB/s
1,447.3
9.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
478
2073
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link