RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
Comparez
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB vs InnoDisk Corporation 16GB
Note globale
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Note globale
InnoDisk Corporation 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
InnoDisk Corporation 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
68
Autour de -79% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
7.7
3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.2
1,944.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
68
38
Vitesse de lecture, GB/s
3,973.0
7.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,944.9
8.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
673
2163
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB Comparaison des RAM
Kingston KHX1600C9D3/2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
InnoDisk Corporation 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link