RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Comparez
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Note globale
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Note globale
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
68
Autour de -127% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.6
1,944.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
5300
Autour de 4.83 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
68
30
Vitesse de lecture, GB/s
3,973.0
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,944.9
10.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
25600
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
673
3026
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB Comparaison des RAM
Kingston KHX1600C9D3/2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link