RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Confronto
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Punteggio complessivo
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Punteggio complessivo
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16
Valore medio nei test
Motivi da considerare
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
68
Intorno -127% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.6
1,944.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
5300
Intorno 4.83 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
68
30
Velocità di lettura, GB/s
3,973.0
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
1,944.9
10.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
25600
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
673
3026
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB Confronto tra le RAM
Kingston KHX1600C9D3/2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C
Crucial Technology CT102464BF1339.C16 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link