RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D081-805U 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Comparez
takeMS International AG TMS2GB264D081-805U 2GB vs Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Note globale
takeMS International AG TMS2GB264D081-805U 2GB
Note globale
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
takeMS International AG TMS2GB264D081-805U 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
46
56
Autour de 18% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,122.7
1,813.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
takeMS International AG TMS2GB264D081-805U 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR2
Latence dans PassMark, ns
46
56
Vitesse de lecture, GB/s
4,831.7
4,387.7
Vitesse d'écriture, GB/s
2,122.7
1,813.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
6400
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
773
693
takeMS International AG TMS2GB264D081-805U 2GB Comparaison des RAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparaison des RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
takeMS International AG TMS2GB264D081-805U 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link