RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
takeMS International AG TMS2GB264D081-805U 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D081-805U 2GB vs Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

総合得点
star star star star star
takeMS International AG TMS2GB264D081-805U 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D081-805U 2GB

総合得点
star star star star star
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

相違点 仕様 コメント

相違点

takeMS International AG TMS2GB264D081-805U 2GB 考慮すべき理由
takeMS International AG TMS2GB264D081-805U 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    46 left arrow 56
    周辺 18% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,122.7 left arrow 1,813.5
    テスト平均値
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB 考慮すべき理由
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
バグを報告する

仕様

技術仕様の完全リスト
takeMS International AG TMS2GB264D081-805U 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR2
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    46 left arrow 56
  • 読み出し速度、GB/s
    4,831.7 left arrow 4,387.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,122.7 left arrow 1,813.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 6400
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    773 left arrow 693

takeMS International AG TMS2GB264D081-805U 2GB RAMの比較

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB RAMの比較

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Inmos + 256MB
Inmos + 256MB
メモリRAM
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
メモリRAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
メモリRAM
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
メモリRAM
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
メモリRAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
メモリRAM
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
メモリRAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
メモリRAM
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
メモリRAM