RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Comparez
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Note globale
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
5
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
46
Autour de -77% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.8
1,852.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
26
Vitesse de lecture, GB/s
5,535.6
13.9
Vitesse d'écriture, GB/s
1,852.4
8.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
858
2291
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link