RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Confronto
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Punteggio complessivo
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
5
13.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
46
Intorno -77% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.8
1,852.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
26
Velocità di lettura, GB/s
5,535.6
13.9
Velocità di scrittura, GB/s
1,852.4
8.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
858
2291
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
INTENSO 5641162 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link