RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Comparez
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Note globale
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Note globale
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
5
26.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
14
46
Autour de -229% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
19.8
1,852.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
14
Vitesse de lecture, GB/s
5,535.6
26.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,852.4
19.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
858
4362
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link