RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Comparez
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Note globale
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Note globale
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
5
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
46
Autour de -18% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.5
1,852.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
39
Vitesse de lecture, GB/s
5,535.6
13.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,852.4
10.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
858
2443
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
PNY Electronics PNY 2GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link