RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
13.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
46
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.5
1,852.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
39
Prędkość odczytu, GB/s
5,535.6
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,852.4
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
858
2443
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link