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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Comparez
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Note globale
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Note globale
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
46
56
Autour de 18% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
5
20.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.5
1,852.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
56
Vitesse de lecture, GB/s
5,535.6
20.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,852.4
10.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
858
2455
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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