RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Comparez
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB vs Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Note globale
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Note globale
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
39
Autour de -15% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.2
14.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
8.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
34
Vitesse de lecture, GB/s
14.3
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.7
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2376
2938
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB Comparaison des RAM
PNY Electronics 4GBH1X04F1AA28-15 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link