RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Comparez
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB vs Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Note globale
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Note globale
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
46
52
Autour de -13% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.9
15.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.8
10.7
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
52
46
Vitesse de lecture, GB/s
15.8
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
10.7
12.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
25600
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2625
2936
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Kingston 99P5474-037.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link