RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99P5474-037.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Comparez
Kingston 99P5474-037.A00LF 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Note globale
Kingston 99P5474-037.A00LF 4GB
Note globale
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 99P5474-037.A00LF 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
26
Autour de -8% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.6
10.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.1
4.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 99P5474-037.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
24
Vitesse de lecture, GB/s
10.3
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
4.6
12.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1556
2852
Kingston 99P5474-037.A00LF 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F5-6000U3636E16G 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link