RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99P5474-037.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Сравнить
Kingston 99P5474-037.A00LF 4GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston 99P5474-037.A00LF 4GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 99P5474-037.A00LF 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
26
Около -8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.6
10.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.1
4.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 99P5474-037.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
24
Скорость чтения, Гб/сек
10.3
15.6
Скорость записи, Гб/сек
4.6
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1556
2852
Kingston 99P5474-037.A00LF 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F5-6000U3636E16G 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99P5474-037.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston KHX1600C10D3/8GX 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link