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Kingston 99P5474-037.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Compara
Kingston 99P5474-037.A00LF 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Puntuación global
Kingston 99P5474-037.A00LF 4GB
Puntuación global
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 99P5474-037.A00LF 4GB
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Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
26
En -8% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
10.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.1
4.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99P5474-037.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
24
Velocidad de lectura, GB/s
10.3
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
4.6
12.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1556
2852
Kingston 99P5474-037.A00LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Kingston 99P5474-037.A00LF 4GB
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G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
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