RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Comparez
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Note globale
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Note globale
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
50
65
Autour de -30% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.3
2,063.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
50
Vitesse de lecture, GB/s
3,580.1
13.4
Vitesse d'écriture, GB/s
2,063.1
7.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
585
1976
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kllisre D4 8G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link