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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Comparez
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Note globale
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Note globale
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
870.4
14.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
87
Autour de -181% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
87
31
Vitesse de lecture, GB/s
3,155.6
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
870.4
14.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
417
3488
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
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Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
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