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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Note globale
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Raisons de considérer
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
51
Autour de -113% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.5
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.6
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
24
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
10.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2208
2509
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaison des RAM
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Kingston 9905630-005.A00G 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
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